XXW6020場效應(yīng)管,N+PMOS管XXW6020參數(shù)資料,XXW6020引腳圖,XXW6020中文資料規(guī)格書PDF
XXW6020 TO252-4封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
XXW6020場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：60V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：20A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：50W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=15A,VGS=10V： Typ 30mΩ Max 40mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=7A,VGS=4.5V：Typ 35mΩ Max 45mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-60V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-15A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：50W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-10A,VGS=-10V： Typ 70mΩ Max 80mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 85mΩ Max 100mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
XXW6020場效應(yīng)管TO252-4L封裝尺寸：
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