傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關。
傳輸門
將PMOS和NMOS器件并聯(lián)連接在一起我們可以創(chuàng)建一個基本的雙邊CMOS開關，通常稱為“傳輸門”。注意，傳輸門與傳統(tǒng)的CMOS邏輯門完全不同，因為傳輸門是對稱的，或雙邊的，即輸入和輸出是可互換的。
這個雙邊操作顯示在下面的傳輸門符號中，它顯示了兩個指向相反方向的疊加三角形，表示兩個信號方向。
CMOS傳輸門
兩個MOS晶體管與NMOS和PMOS的柵極之間使用的反相器并聯(lián)連接，以提供兩個互補的控制電壓。當輸入控制信號V C 為低電平時，NMOS和PMOS晶體管都截止，開關打開。當V C 為高電平時，兩個器件都被偏置為導通，開關閉合。
因此當V C <時，傳輸門充當“閉合”開關/ sub> = 1，而當V C = 0作為電壓控制開關工作時，門用作“開路”開關。指示PMOS FET柵極的符號氣泡。
傳輸門布爾表達式
與傳統(tǒng)邏輯門一樣，我們可以使用真值來定義傳輸門的操作表和布爾表達式如下。
傳輸門真值表
從上面的真值表我們可以看出，B處的輸出不僅依賴于輸入A的邏輯電平，還依賴于存在的邏輯電平。控制輸入。
因此，B的邏輯電平值被定義為A AND Control，它給出了傳輸門的布爾表達式：
B = A.Control
由于傳輸門的布爾表達式包含邏輯AND功能，因此可以使用標準的2輸入AND門實現(xiàn)此操作，其中一個輸入是數(shù)據(jù)輸入，而另一個是控制輸入，如圖所示。
和門實現(xiàn)
關于傳輸門，單個NMOS或其他兩個要考慮的問題單個PMOS本身可以用作CMOS開關，但兩個晶體管并聯(lián)的組合具有一些優(yōu)點。 FET溝道是電阻性的，因此兩個晶體管的導通電阻有效地并聯(lián)連接。
作為FET導通電阻是柵極 - 源極電壓的函數(shù)，V GS ，當一個晶體管由于柵極驅動而變得較不導通時，另一個晶體管接管并變得更導通。因此，兩個導通電阻（低至2或3Ω）的組合值與單個開關晶體管本身的情況相比或多或少保持不變。
傳輸門導通電阻
小結
連接P溝道FET（PMOS）和N溝道FET（NMOS），我們可以創(chuàng)建一個固態(tài)開關，使用邏輯電平電壓進行數(shù)字控制，通常稱為“傳輸”門“。
傳輸門，（TG）是雙向開關，其中任何一個端子都可以是輸入或輸出。除輸入和輸出端子外，傳輸門還有一個稱為控制的第三個連接，其中控制輸入將門的開關狀態(tài)確定為開路或閉路（NO / NC）開關。
此輸入通常由數(shù)字邏輯信號驅動，該信號在地（0V）和設定的直流電壓（通常為VDD）之間切換。當控制輸入為低電平（控制= 0）時，開關打開，當控制輸入為高電平（控制= 1）時，開關閉合。
傳輸門的作用類似于電壓控制開關，作為開關，CMOS傳輸門可用于切換通過全范圍電壓（從0V到V DD ）的模擬和數(shù)字信號。
在單個柵極內將NMOS和PMOS晶體管組合在一起意味著NMOS晶體管將傳輸良好的邏輯“0”但是差的邏輯“1”，而PMOS晶體管傳輸良好的邏輯“1”但是邏輯“0”。因此，將NMOS晶體管與PMOS晶體管并聯(lián)連接可提供單個雙向開關，為單個輸入邏輯電平控制的CMOS邏輯門提供高效的輸出驅動能力。
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